半導體基礎實驗室主要承擔了電子科學與技術和微電子學專業獨立設課實驗《半導體專業基礎實驗》的教學任務，擁有實驗設備18台套，可以完成半導體晶麵的光學定向、晶體缺陷顯示、半導體的電阻率、半導體少子壽命、“汞探針”測量外延層雜質濃度分布、矽單晶中氧碳含量測量、MOS結構電容-電壓特性測量等實驗項目，所開實驗項目包括了《固體物理》和《半導體物理》二門專業基礎理論課的實驗教學內容。通過本實驗室的實驗教學可使學生掌握半導體材料的微觀結構、基本物理性質、基本參數的測試原理和測試方法以及半導體器件製造過程中與材料有關的特性和參數的測試原理、測試方法，了解激光晶軸定向儀、金相顯微鏡、四探針電阻率測試儀、矽單晶壽命測試儀、霍爾效應測試儀、高頻C～V特性測試儀等儀器設備的主要結構、原理與操作方法，學習樣品的製備技術及有關的半導體工藝技術、化學腐蝕技術等。重點培養學生的實驗能力、科研能力以及在實踐中綜合運用所學理論知識的能力，使學生在實驗科學知識和開拓基本實驗技能方麵得到係統的培養和訓練。

固體物理與半導體物理實驗室

MOS結構C-V測試係統

配備自動測試台的雙電四探針測試儀