申請日

2018/6/26

專利權人

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授權日

2021/1/15

法律效力

授權

摘要

本發明公開的一種製備Ag負載ZnO納米棒陣列的方法，具體按照以下步驟實施：首先，ZnO種子層襯底的製備，其次，ZnO納米棒陣列薄膜的製備，最後，將製備得到的ZnO納米棒陣列薄膜進行Ag負載；本發明公開的方法優點是利用電場對ZnO晶體中載流子進行分離‑聚集‑釋放，使溶液中的Ag+在ZnO晶體表麵被還原為Ag顆粒。這種方法使反應隻在ZnO納米棒表麵發生，並且由於ZnO壓電電場能量較小，電場在晶體表麵分布均勻，因此製備的Ag顆粒尺寸較小，在ZnO納米棒兩側表麵分布均勻。