期刊名稱：IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS

影響因子：6.153

作者：文陽，楊媛，高勇

論文介紹：

針對大功率應用中SiC MOSFET模塊多管並聯所導致的並聯不均流問題，提出了一種用於改善SiC MOSFET模塊並聯均流性能的可變柵極電壓主動並聯均流策略。首先，對影響SiC MOSFET模塊並聯均流性能的各個參數進行了理論與仿真分析。其中包括驅動器參數、功率模塊參數和功率回路參數。在此基礎上，提出了一種通過在開關過程中動態調整柵極驅動電壓來實現並聯SiC MOSFET模塊間電流沿和電流斜率自動同步的主動均流策略。然後，針對多隻SiC MOSFET模塊並聯應用，利用仿真方法對主-從和鏈式控製拓撲下的可變柵極電壓主動並聯均流策略的效率和精度進行了對比分析。最後，在不同工況下，利用多脈衝實驗對所提出的均流策略的可行性以及優勢進行了實驗驗證。實驗結果表明，可變柵極電壓主動並聯均流策略可以有效改善並聯模塊間電流均流問題。此外，在多隻SiC MOSFET模塊並聯應用中，采用主-從控製拓撲可以獲得更好的電流均流性能。本研究對於SiC MOSFET模塊在中大功率電力電子設備中的並聯應用具有十分重要的技術指導意義。該研究成果發表在中科院SCI一區期刊IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS上。

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圖1 AGD的電路框圖