期刊名稱：Applied Surface Science

影響因子：6.707

作者：崔真，王霞，丁迎春，李恩玲，白凱飛，鄭江山，劉童

論文介紹：

利用第一性原理計算研究了氣體分子CO、NH₃、NO和NO₂在本征和缺陷g-GaN上的吸附行為，以及它們的吸附能、電荷轉移和磁矩。所有氣體分子在本征g-GaN上表現出物理吸附特性。在這些氣體分子中，NH₃和本征g-GaN之間的結合比其他分子更強，因為它的軌道與本征g-GaN中N原子的2p軌道產生雜化。為了提高g-GaN的傳感能力，還研究了這些氣體分子在Ga和N單空位g-GaN上的吸附行為。所有這些氣體分子在缺陷g-GaN上的吸附能都比在本征g-GaN上的吸附能大得多。對於大多數氣體分子在缺陷g-GaN上的吸附，電荷轉移比相應的氣體分子在本征g-GaN上的吸附更為顯著。此外，在許多吸附缺陷g-GaN的氣體分子中發現了磁性。我們的工作不僅為提高g-GaN的傳感能力提供了一條有效途徑，也為g-GaN的功能化提供了一條有效途徑。該研究成果發表在中科院SCI一區期刊Applied Surface Science上。